MOS管 KNX9130A替代IRFB4137 40A/300V規(guī)格書 內(nèi)阻低-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-22
KIA半導體產(chǎn)品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半導體場效應管有著雪崩沖擊低、低內(nèi)阻等技術優(yōu)勢。下文將會有KNX9130A和IRFB4137兩個產(chǎn)品詳細參數(shù)、封裝、規(guī)格書。
KIA半導體也一直執(zhí)行全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。下文將描述KNX9130A產(chǎn)品附件及主要參數(shù)詳情。
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
專有的新平面技術
低柵電荷最小開關損耗
快速恢復體二極管
型號：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源極電壓：250V
柵極到源極電壓：±20V
連續(xù)漏電電流：40A
單脈沖雪崩能量:1250MJ
二極管峰值恢復:5.0V/ns
漏源擊穿電壓:300V
二極管正向電壓:1.5V
輸入電容:3100pF
輸出電容:250pF
反向傳輸電容:80pF
查看詳情，請點擊下圖。
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MOS管 KNX9130A替代IRFB4137的產(chǎn)品特征如下：
1、改進的雪崩和動態(tài)的dV/dt堅固性
2、增強二極管dV/dt和dI/dt能力
3、無鉛、符合RoHS標準
型號：IRFB4137
參數(shù)：38A/300V
封裝：TO-220
脈沖漏電流：152A
最大功耗:341W
線性遞減因子:2.3W/℃
柵極到源極電壓：±20V
二極管峰值恢復:8.9V/ns
漏源擊穿電壓:300V
柵極電阻:1.3Ω
查看規(guī)格書，請點擊下圖。
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