MOSFET電路類型集合與特性分析 MOSFET開關電路

MOSFET驅動電路

為了幫助MOSFET最大化導通和關斷時間，需要驅動電路。如果MOSFET需要相對較長的時間進出導通，那么我們就無法利用MOSFET的優(yōu)勢。這將導致MOSFET發(fā)熱，器件將無法正常工作。MOSFET驅動器通常可以使用自舉電路來產生電壓，以將柵極驅動到比MOSFET電源電壓更高的電壓。

實際上，MOSFET的柵極像驅動器的電容器一樣，或者驅動器可以通過分別對柵極充電或放電來非?？焖俚貙ɑ蜿P斷MOSFET。

MOSFET開關電路

MOSFET工作在三個區(qū)域切斷區(qū)域三極管區(qū)域和飽和區(qū)域。當MOSFET處于截止三極管區(qū)域時，它可以用作開關。

MOSFET開關電路由兩個主要部分MOSFET（按照晶體管工作）和開/關控制模塊組成。當晶體管導通時，MOSFET將電壓源傳遞給特定負載。在大多數(shù)情況下，n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET，具有多種優(yōu)勢。

在MOSFET開關電路中，漏極直接連接到輸入電壓，而源極連接到負載。對于導通n溝道MOSFET，柵極到源極電壓必須大于閾值電壓必須大于器件的閾值電壓。對于p溝道MOSFET，源極到柵極電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現(xiàn)為比BJT更好的開關，因為MOS開關中不存在偏移電壓。

MOSFET逆變電路

逆變電路是數(shù)字電路設計的基本構建模塊之一。逆變器可以直接應用于邏輯門和其他更復雜的數(shù)字電路的設計。理想逆變器的傳輸特性如下所示。

MOSFET,集成電路

早期的MOS數(shù)字電路是使用p-MOSFET制造的。但隨著微電子技術的進步，MOS的閾值電壓可以得到控制，MOS技術成為主導，因為大多數(shù)n-MOS載流子，即電子比空穴快兩倍，p-MOS的多數(shù)載流子，所以在CMOS技術到來之前，逆變器電路也使用n-MOS技術。這里我們討論三種類型的MOS逆變器電路。

電阻負載n-MOS逆變器：

它是最簡單的MOSFET逆變器電路，它具有負載電阻 R和n-MOS晶體管，它們串聯(lián)在電源電壓和地之間，如下所示。

MOSFET,集成電路