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MOS管直流電機驅動電路設計解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-12-25 

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MOS管直流電機驅動電路設計解析-KIA MOS管


MOS管直流電機驅動電路

一個簡單的直流電機驅動電路:如圖所示,用2個PMOS和4個NMOS可以組成只需要一個控制端的直流電機驅動電路。


MOS管,直流電機,驅動電路


工作原理:

當Q6輸入為低電平時,Q6的GS不導通,Q5的G級為高電平,Q5導通,所以R2左側為低,Q1導通,Q6的D級為高電平,Q4導通,Q3不導通,Q2不導通,電流從Q1流過Q4,電機正轉。


當Q6輸入為高電平時,Q6導通,R5左側為低電平,Q3導通,Q4不導通,Q5不導通,R2左側為高電平,Q2導通,Q1不導通,電流從Q3流過Q2,電機反轉。


如圖中N、S極下各根導體所受電磁力的方向,如圖中箭頭所示。電磁力對轉軸形成順時針方向的轉矩,驅動轉子而使其旋轉。


由于每個磁極下元件中電流方向不變,故此轉矩方向恒定,稱為直流電動機的電磁轉矩。如果直流電動機軸上帶有負載,它便輸出機械能,可見直流電動機是一種將電能夠轉化成機械能的電氣裝置。


直流電動機是可逆的,根據不同的外界條件而處于不同的運行狀態(tài)。當外力作用使其旋轉,駛入機械能時,電機處于發(fā)電機狀態(tài),輸出電能;當在電刷兩端施加電壓輸入電能時,電機處于電動機狀態(tài),帶動負載旋轉輸出機械能。


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目前斬波器大都采用既能控制其導通又能控制其關斷的全控型器件,如功率晶體管(GTR)、可關斷晶閘管(GTO)、場效應管(MOS管)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT )等。


電力晶體管的優(yōu)點是飽和壓降低、載流密度大,但是驅動電流較大。


電力場效應管是用柵極電壓來控制漏極電流的,因此它的一個顯著特點是驅動電路簡單、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高,但是電力MOSFET的電流容量小、耐壓低、導通壓降大,適用于小功率電力電子裝置。


由于功率場效應晶體管(Power MOSFET)是一種單極型電壓控制器件,具有開關速度快、高頻特性好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬和跨導線性度高等顯著特點,因而在各類中小功率開關電路中得到了廣泛的應用。


因此直流電機控制系統使用功率MOS管作為功率開關器件。功率開關器件的選取非常關鍵,如果選擇的功率管容量、耐壓過大,則將大幅增加控制系統的成本;


如果功率管的耐壓及電流容量偏小,則在工作過程中經常無端出現管子燒毀的現象。


純硬件原理樣機的主功率及其驅動電路根據設計方案采用DC-AC三相橋式逆變電路,24V主功率電路如圖所示:


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續(xù)流二極管選用快速恢復二極管,額定電流為3A,額定電壓為40V恢復時間為10nS。


對輸入端和輸出端接有感性元件時,如控制接觸器的線圈等,則在它們兩端并聯續(xù)流二極管(直流電路)和阻容吸收電路,以抑制電路斷開時產生的電弧對功率電路的影響。




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