4820現(xiàn)貨供應商 KIA4820 PDF文件 4820參數詳細資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-27
KIA4820增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器。
2、特征
專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷減少開關損耗
快速恢復體二極管
3、參數指標
產品型號：KIA4820
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：9A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300m
耗散功率：83W
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418 PF
輸出電容：94 PF
上升時間：6.0 ns
封裝形式：TO-220、TO-252
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KIA4820 |
| 產品編號 | KIA4820（9A 200V） |
| 產品工藝 |
KIA4820b增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器 |
| 產品特征 |
專有的新平面技術 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門電荷減少開關損耗 快速恢復體二極管 |
| 適用范圍 |
主要適用于高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.dwkn.cn |
| PDF總頁數 | 總8數 |
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