pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-07-04
MOS管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)砣Npwm驅動mos管開關電路解析。
只是單個MOS管的普通驅動方式像這種增強型NMOS管直接加一個電阻限流即可。由于MOS管內部有寄生電容有時候為了加速電容放電，會在限流電阻反向并聯一個二極管。
用于NMOS的驅動電路和用于pwm驅動mos管開關電路
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節(jié)。
最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。
1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。
3，gate電壓的峰值限制
4，輸入和輸出的電流限制
5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。
當控制器輸出pwm驅動mos管開關電路PWM脈沖時，電磁閥工作；沒有輸出PWM時，電磁閥不工作。
整個電路根據光耦可分為兩部分
左邊為光耦輸入部分，也是整個電路pwm驅動mos管開關電路PWM信號的輸入部分；右邊為光耦輸出部分，也是電磁閥的驅動部分。
這兩部分通過光耦隔離，兩邊的地都不一樣。
當光耦沒有pwm驅動mos管開關電路PWM信號輸入時，光耦發(fā)光二極管截止，光耦的光電晶體管也是截止狀態(tài)，Q1是一個NMOS，也處于截止狀態(tài)，電磁閥沒有電流，不工作。
當光耦有pwm驅動mos管開關電路PWM信號輸入時，光耦發(fā)光二極管導通，觸發(fā)光電晶體管也導通。24V電源經電阻R1，光電晶體管的CE極，電阻R3分壓使NMOS IRF540N的柵極為高電平，觸發(fā)MOS管導通，電磁閥線圈有電流流過，電磁閥觸發(fā)動作。
二極管D1為電磁閥的泄放二極管，防止NMOS被高壓損壞。電容C1起濾波作用，但同時也會增加MOS管的開關損耗。
注意：
在實際制作時，要注意電磁閥驅動這塊，要讓MOS管處于開關狀態(tài)，以免它發(fā)熱嚴重。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
